8CH高端SSD產品
采用新一代SM2264主控
提供特性化定制服務，實現多模式多場景優化
支持E2E路徑保護、2WL RAID等高可靠特性
順序讀取速度最高可達7100 MB/s*，順序寫入速度最高可達5500 MB/s*
業務運行更流暢，游戲加載更快
* 適用于1TB容量點，詳見規格參數
支持E2E路徑保護、L2 PLP功能、SLC性能的靜態和動態寫、2WL RAID等多種可靠性算法與特性
提供持久的可靠性能
支持低溫功耗L1.2功能，功耗小于5mW，可大幅提升終端設備的續航時間
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型號 |
AH660 |
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形狀 |
M.2 2280-S3-M |
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容量 |
512GB |
1TB |
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順序讀取 |
7100MB/s |
7100MB/s |
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順序寫入 |
4400MB/s |
5500MB/s |
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隨機讀取IOPS（4KB） |
820K |
850K |
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隨機寫入IOPS（4KB） |
680K |
700K |
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TLC順序寫入 |
890MB/s |
1850MB/s |
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TLC隨機寫入IOPS（4KB） |
235K |
355K |
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尺寸 |
長80±0.15mm 寬22±0.15mm 高2.38mm（最大） |
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重量 |
最大8g |
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功耗 |
L1.2：<5mW 空閑：<60mW 工作：<180mW |
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總線接口 |
PCIe Gen 4*4 |
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NVMe標準 |
NVMe 1.4 |
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溫度 |
工作：0℃~70℃ 非工作：-40℃~85℃ Note: Measured by SMART Temperature and proper airflow recommended. |
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濕度 |
5%~95%，無冷凝 |
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平均無故障工作時間 |
200萬小時 |
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沖擊 |
工作：半正弦波，1000G@1ms，6面 非工作：半正弦波，1500G@0.5ms，6面 |
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振動 |
工作：隨機振動，5Grms，2~2000Hz，3軸 非工作：隨機振動，7Grms, 2~500Hz，3軸 |
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供電電壓 |
3.3V±5% |
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紋波/噪聲 |
≤100mV |
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地址：深圳市南山區記憶科技后海中心B座19樓
電話：0755-2681 3300
郵箱：support@unionmem.com
