為更好地滿足超大規(guī)模的數(shù)據(jù)應(yīng)用，憶聯(lián)發(fā)布數(shù)據(jù)中心級NVMe SSD——UH711a以及UH711a E3.S形態(tài)。該系列產(chǎn)品使用自研控制器與長江存儲128L 3D NAND，專為數(shù)據(jù)中心級業(yè)務(wù)場景而設(shè)計。UH711a單盤容量最高達7.68TB，能為數(shù)據(jù)庫、塊存儲、虛擬化、云主機等應(yīng)用提供高性能的存儲方案，幫助用戶獲得更優(yōu)的TCO。

1 性能全面調(diào)優(yōu)，業(yè)務(wù)應(yīng)用顯著提速

UH711a支持高速PCIE Gen4接口，針對數(shù)據(jù)中心級業(yè)務(wù)場景及負載Workload IO模型，在各類場景可提供全面的性能優(yōu)化能力，產(chǎn)品順序讀寫性能高達7200/4500 MB/s，隨機讀寫性能高達1700/230K IOPS。

同時，針對互聯(lián)網(wǎng)典型應(yīng)用場景，采用軟化架構(gòu)設(shè)計，并優(yōu)化IO路徑DB、FSP、HAS和LDPC等硬件資源配置，提升后端NAND顆粒并發(fā)效率，保障互聯(lián)網(wǎng)典型應(yīng)用場景盤片性能。

2 SR-IOV with QoS 升級2.0，助力虛擬化業(yè)務(wù)降本增效

UH711a 通過使能SR-IOV技術(shù)優(yōu)化云業(yè)務(wù)虛擬機場景，相比SPDK方案優(yōu)勢顯著。SR-IOV2.0進一步優(yōu)化了Nand物理層隔離度，VF間的性能隔離度更好，隨著隔離度的提高在純讀寫及混合場景下分別優(yōu)化到了3%和5%，目前憶聯(lián)SR-IOV 性能及隔離度已達業(yè)界第一。

3 智能多流2.0，保障業(yè)務(wù)長期且穩(wěn)定運行

采用全新K-mean智能聚類算法，提供更精細的數(shù)據(jù)類型識別顆粒度，進一步提高GC時的效率，使SSD系統(tǒng)性能最大可提升20%。通過在盤片內(nèi)部將2種數(shù)據(jù)寫入不同的流，降低盤片的寫放大系數(shù)，提升全生命周期的穩(wěn)態(tài)性能以及保障產(chǎn)品生命周期后期階段的可靠性。

此外，UH711a還支持DIF、NS管理等OCP2.0規(guī)范，不僅與系統(tǒng)配合實現(xiàn)端到端的保護，也能在盤內(nèi)實現(xiàn)獨立的端到端的保護機制，確保盤內(nèi)整個通路的數(shù)據(jù)安全，從而為數(shù)據(jù)中心在多種極端場景下的正常運維提供雙重保護。

4 自封顆粒，釋放介質(zhì)原生潛力

依托憶聯(lián)強大的自主封測技術(shù)，UH711a通過使能自封TLC介質(zhì)，在不犧牲性能及可靠性的前提下大幅度降低介質(zhì)應(yīng)用成本，充分挖掘介質(zhì)的原生潛力，提供更好的IO性能。

5 憶聯(lián)新一代EDSFF E3.S SSD揭曉

E3.S作為面向云服務(wù)、企業(yè)數(shù)據(jù)中心的NVMe SSD新形態(tài)標(biāo)準(zhǔn)，憑借擴展性更強，以及優(yōu)化了整體效能等優(yōu)勢，已成為數(shù)據(jù)中心SSD未來發(fā)展方向。憶聯(lián)推出的UH711a E3.S 形態(tài)，外形尺寸方面，長112.75mm、寬76mm、厚度為7.5mm，單盤容量最高達15.36TB，支持NVMe 1.4。使用新形態(tài)后，產(chǎn)品順序讀寫性能高達7200/4400 MB/s，隨機讀寫性能高達1700/240K IOPS。該系列產(chǎn)品將于2023年實現(xiàn)量產(chǎn)。